内存条 DDR2和DDR的内存能一起用吗?
内存条 DDR2和DDR的内存能一起用吗?
[问题]内存条 DDR2和DDR的内存能一起用吗?
[答案]不能
[理由]: 虽然名字上只差毫厘,但DDR和DDR2却是完全不兼容的,DDR2接口为240Pins比DDR的184Pin长,而且电压亦比DDR的2.5v更低,只有1.8v而在同时脉下比DDR低一半的功耗,这些都是DDR2内存的优点,而缺点则是DDR的延迟值比较高,在同时脉下效能较低。 不单在规格上不兼容,其实DDR和DDR2在技术上有得大分别。我们用的内存是透过不停充电及放电的动作记录资料的,上代SDRAM内存的核心时脉就相等于传送速度,而每一个Mhz只会有传送1 Bit的资料,采用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。但随着系统内部组件速度提升,对内存速度的要求增加,单纯提升内存时脉已经不能应付需求,幸好及时发展出DDR技术。
DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那一刻存取资料,故此每一下充电放电的动作,只能读写一次,而DDR却把技术提升至在充电及放电时都能存取资料,故此每Mhz有两次存取动作,故此DDR会比SDRAM在同一时脉下效能提高一倍,而100Mhz的DDR却可达至200Mbps存取速度,由于每一个Mhz都要有二次的资料存取,故此DDR每一Mhz会传送2Bit,称为2Bit Prefetch,而DDR颗粒时脉每提升1Mhz,所得的效果是SDRAM的两倍。
而DDR 2则是承继DDR并作出改良,同样能在每一笔充电放电时都能存取,但DDR 2却改良了I/O Buffer部份,以往内存颗粒的时脉相等于I/O Buffer的时脉,但DDR2的I/O Buffer会被提升至却内存核心时脉的一倍,而DDR 2内存会在每一个Mhz传送4Bit的资料给I/O Buffer,比DDR每笔传送2Bit多一倍,故此在同一内存核心时脉下,DDR 2的内存会比DDR速度快一倍,这技术称为4Bit Prefetch。DDR 2未来提升速度的空间会比DDR强,因为每提升1 Mhz DRAM的时脉,所得到的效果却是传统SDRAM的四倍。不过我们经常提及DDR 2的时脉是Clock Frequency,而不是DRAM Core Frequency,故此DDR 2 533的时脉还是266Mhz。
除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。
ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。
Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到 CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。
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