充电:内存的几个常见疑问

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1.内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别？

单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。

2.内存的2-2-3通常是什么意思？

这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是tRP（Time of Row Precharge），tRCD（Time of RAS to CAS Delay）和CL（CAS Latency）。tRP为RAS预充电时间，数值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延迟，数值越小越好；CL（CAS Latency）为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。

3.内存的双通道技术和单通道有什么不同？

什么是双通道DDR技术呢？需要说明的是，它并非我们以前所介绍的DDRII，而是一种可以让2条DDR内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P4处理器的好处可谓不言而喻。大家都知道400MHz FSB的P4处理器和主板传输数据的带宽为3.2GB/s，而533MHz FSB的P4处理器的吞吐能力更是达到了4.3GB/s，但是目前除了I850E支持的Rambus PC1066规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的DDR333本身仅具有2.7GB/s的带宽。

4.DDR-Ⅱ和现在的DDR内存有什么不同？

DDR-II内存是相对于现在主流的DDR-I内存而言的，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高。主流内存市场将从现在的DDR-333产品直接过渡到DDR-II。DDR-II内存将采用0.13微米制程，容量为18MB/36MB/72MB，最大288MB，字节架构为X8、X18、X36，读取反应时间为2.5个时钟周期。通过将DLL(delay-locked loop，延时锁定回路)设计到内存中（这与Rambus设计理念相似），输出的数据效率提升65%左右，DDR数据传送方式为每周期32个字节，并且可以随工作频率的提升达到更高性能 。已知道的规格有：系统内存方面包括400MHz(4.8GB/s带宽)、533MHz(5.6GB/s带宽)、667MHz(6.4GB/s带宽)三种，显卡(默认规格)方面包括800MHz、1000MHz两种。所有的DDR-II内存均在1.8V下工作，单条容量至少有512MB。DDR-II管脚数量有200pin、220pin、240pinFBGA封装形式之分，与现在的DDR内存不相容。
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